特許
J-GLOBAL ID:200903023593217049
窒化ケイ素結合炭化ケイ素ハニカムフィルタの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-237816
公開番号(公開出願番号):特開2003-154224
出願日: 2002年08月19日
公開日(公表日): 2003年05月27日
要約:
【要約】【課題】 SiC製ディーゼル微粒子フィルタの欠点を補った窒化ケイ素結合炭化ケイ素ハニカムモノリスを形成する。【解決手段】 約60重量%から約85重量%までの粉末炭化ケイ素、約15重量%から約40重量%までの粉末金属ケイ素、および有機成分を含む可塑化可能な混合物を調製する。この可塑化可能な混合物を、入口と出口の端または面、および口端から出口端まで延在する、多孔質壁を有する多数のセルを有するハニカムモノリスに押し出す。このハニカムモノリスを乾燥させ、1450°Cまで加熱し、アルゴン雰囲気中で1時間に亘り保持する。窒化ケイ素結合炭化ケイ素体を得るのに十分な時間に亘り、1450°Cより高い温度から1600°Cまででハニカムモノリスを窒化させる。
請求項(抜粋):
窒化ケイ素結合炭化ケイ素ハニカムモノリスを形成する方法であって、a) (1) 約60重量%から約85重量%までの粉末炭化ケイ素、(2) 約15重量%から約40重量%までの粉末金属ケイ素、および(3) 有機成分、を含む可塑化可能な混合物を調製し;b) この可塑化可能な混合物を、入口と出口の端または面、および該入口端から該出口端まで延在する、多孔質壁を有する多数のセルを有するハニカムモノリスに押し出し;c) 該ハニカムモノリスを乾燥させ;d) 該ハニカムモノリスを1450°Cまで加熱し、アルゴン雰囲気中で1時間に亘り保持し;e) 窒化ケイ素結合炭化ケイ素体を得るのに十分な時間に亘り、1450°Cより高い温度から1600°Cまでで該ハニカムモノリスを窒化させる;各工程を含むことを特徴とする方法。
IPC (4件):
B01D 39/20
, B01D 39/00
, C04B 35/565
, F01N 3/02 301
FI (4件):
B01D 39/20 D
, B01D 39/00 B
, F01N 3/02 301 B
, C04B 35/56 101 J
Fターム (22件):
3G090AA02
, 4D019AA01
, 4D019BA05
, 4D019BB06
, 4D019BD01
, 4D019CA01
, 4D019CB04
, 4D019CB06
, 4G001BA22
, 4G001BA62
, 4G001BA78
, 4G001BB22
, 4G001BB32
, 4G001BC13
, 4G001BC17
, 4G001BC26
, 4G001BC45
, 4G001BC48
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BD36
, 4G001BE31
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