特許
J-GLOBAL ID：200903023597040399
半導体ウエハー欠陥検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130355
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061324
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】半導体ウエハーに発生するパターン欠陥やパーティクルを検出し、同時に回路が電気的に断線やショートしているかの判定を可能とする。【構成】半導体ウエハー面イオンビームを走査させるイオン銃と、半導体ウエハーから発生する2次電子を捕捉してパターン情報を順次取り込み、パターン情報の異常を見つける欠陥判定回路と、この欠陥と欠陥位置情報を記録する欠陥情報記録回路を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハーを載置するステージと、イオンビームを発生するイオン銃と、イオンビームを一方向に偏向して前記半導体ウエハー面を走査する走査用コイルと、前記ステージを走査方向と直角方向にステップ状に移動させる検査領域制御回路と、前記半導体ウエハーより発生する2次電子を捕捉するシンチレーションカウンタと、捕捉された2次電子をパターン信号に変換するとともにこのパターン信号を順次記憶する信号増幅器と、前記信号増幅器より順次出力されるパターン情報より異常を判定するとともに欠陥を検知する欠陥判定回路と、前記欠陥判定回路により判定された欠陥及びその欠陥の位置情報を記憶する欠陥情報記憶回路と、この欠陥を表示する表示装置とを備えることを特徴とする半導体ウエハー欠陥検査装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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