特許

J-GLOBAL ID：200903023600453462

半導体素子のフィールド酸化膜形成方法

発明者： 權 成九 ,  李 乘茂
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317891
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283612
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 簡単な工程で狭い幅のトレンチと広い幅のトレンチに絶縁膜を満たすとともに上部面が平坦になるようにし、前記絶縁膜の膜質を緻密にするフィールド酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板にトレンチ マスクとトレンチ表面に形成された酸化膜を予定された条件で表面処理した後、その上部に前記トレンチ マスクには堆積速度が緩慢で前記トレンチ表面に形成された酸化膜では堆積速度が速やかな膜、例えばオゾン-TEOS USG膜を形成して平坦化させ熱処理した後、エッチ バック工程でトレンチにのみ残してフィールド酸化膜を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上部に第1絶縁層と異なる物質の第2絶縁膜を形成する工程と、素子分離領域に該当する地域にある前記第2絶縁膜、第1絶縁膜、さらに半導体基板を順次エッチングして幅が狭いものと広いもののトレンチを形成する工程と、前記トレンチの表面に薄い厚さの第3絶縁膜を形成する工程と、露出した第3絶縁膜と第2絶縁膜の表面処理で、後続工程で形成される第4絶縁膜が前記第3絶縁膜の表面では速やかに堆積(deposition)されるようにし、前記第2絶縁膜の表面では緩慢に堆積されるようにする工程と、全体的に第4絶縁膜を堆積しそれにより第2絶縁膜の高さより厚い位置で平坦に形成される工程と、前記第4絶縁膜を熱処理し膜質を緻密化させる工程と、前記第4絶縁膜をエッチバックする工程と、前記第2絶縁膜を除去し、前記トレンチ等に第4絶縁膜で満たされた素子分離膜を形成する工程と、を含む半導体素子のフィールド酸化膜形成方法。