特許

J-GLOBAL ID：200903023603723010

基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子

発明者： チャールズ デビット、ブランドル ,  デニス ノーマン、ブキャナン ,  エリオット ホワード、ハートフォード ,  リン フランシス、シュネメイヤー
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039556
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288220
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【課題】 基板上にヘテロエピタキシャル成長させたIII-V属窒化物半導体材料を有する光電子物品を提供する。【解決手段】 本発明の光電子物品は、一般構造式RAO3(MO)nのほぼ単一結晶材料の基板からなる。ここでRは、Sc,In,Yとランタン系元素(原子番号67-71)から通常選択される三価の元素で、Aは、Fe(III),GaとAlから通常選択される三価の元素で、Mは、Mg,Mn,Fe(II),Co,Cu,Zn,Cdから通常選択される二価の元素で、nは1以上9以下の整数である。ここでYbFe2O4構造型の場合には、RAMO4 (n=1)化合物を指し、InFeO3(ZnO)n構造の場合にはRAO3(MO)n(n=2以上)を指称する。実質的に単結晶基板材料は、六方晶系の結晶構造YbFe2O4あるいはInFeO3(ZnO)n の構造型でその格子定数aはIII-V属窒化物半導体材料の所望の1つ(例、GaN)と格子不整合が±5%以下となるよう選択される。

請求項（抜粋）：

基板(12)上にエピタキシャル成長して堆積したIII-V属窒化物半導体材料を有する素子において、(a)前記基板は、一般構造式RAO3(MO)nのほぼ実質的に単結晶材料であり、ここでRはSc,In,Yとランタン系元素(原子番号67-71)から選択された1つあるいは複数の元素で,AはFe(III),Ga,Alの1つあるいは複数の元素で、MはMg,Mn,Fe(II),Co,Cu,Zn,Cdの1または複数でnは1以上の整数であり、(b)前記実質的に単結晶基板材料は、YbFe2O4構造型あるいはInFeO3(ZnO)nの構造型の結晶構造を有し、(c)前記実質的に単結晶基板材料は、III-V窒化物半導体材料の格子定数aと±5%以下の格子不整合となるような格子定数を有することを特徴とする基板(12)上にエピタキシャル成長したIII-V属窒化物半導体材料を有する素子。

IPC (7件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/24 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (8件)：

H01L 21/203 Z ,  C30B 29/24 ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18