特許

J-GLOBAL ID：200903023604997998

半導体装置とその製造方法

発明者： 遠山 隆之 ,  和田 伸一 ,  中村 光宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399197
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203864
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 小さなパターンで高抵抗を得ることができる抵抗素子を有する接合型電界効果トランジスタを有する半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs等の半導体による基板11上に形成されたトランジスタのチャネル層14の上のAlGaAsによる障壁層15に、その表面から所定の深さまで、Zn等のp型不純物を拡散またはイオン注入によってドーピングしてp型不純物領域15dを形成し、このp型不純物領域15dを以て抵抗素子とする。更に、p型不純物領域15dの表面に絶縁膜16、18を形成し、絶縁膜16、18上に該開口部19を通じてp型不純物領域15d表面に接続される電極20を形成する。【効果】p型キャリアはn型キャリアに比べて移動度が小さいので、p型不純物領域15dからなる抵抗素子によれば、小サイズでも大きな抵抗値を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された接合型電界効果トランジスタのチャネル層の上側に設けられた障壁層の表面部にp型不純物がドーピングされた抵抗素子を成すp型不純物領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/778

FI (4件)：

H01L 29/80 Q ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 H

Fターム (27件)：

5F038AR01 ,  5F038AV06 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA11 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05 ,  5F102HC07 ,  5F102HC10