特許
J-GLOBAL ID：200903023606290069
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-304436
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162634
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【構成】 MOS型トランジスタのゲート電極12を、BPSG膜16とPSG膜15とのT字形状の開口部11に、多結晶シリコンを埋め込み、さらに多結晶シリコン13をエッチバックすることで、T字形状に形成し、その後、ゲート電極12の上部に対して、高濃度拡散領域17を自己整合的に形成し、ゲート電極17下部で、高濃度拡散領域17とゲート電極12との重なりを少なくする【効果】 高濃度拡散領域に電圧を印加したときのゲート電極と高濃度拡散領域との重なり領域の等電位線は、この重なり領域が少ないため、等電位線の密度が少なくなり、電界を緩和することができ、MOSトランジスタ耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、ゲート酸化膜とナイトライド膜とPSG膜とBPSG膜とを形成する工程と、ゲート電極の形成領域を開口するように感光性樹脂をパターニングする工程と、感光性樹脂をエッチングマスクにしてBPSG膜とPSG膜とをドライエッチング法によりパターンングする工程と、感光性樹脂をエッチングマスクに、PSG膜よりBPSG膜のエッチングレートの速い、フッ化アンモニウムとフッ酸と水との混合液で、BPSG膜とPSG膜とをウェットエッチング法によりパターニングし、BPSG膜とPSG膜との開口部をT字形状に形成する工程と、感光性樹脂を除去する工程と、BPSG膜とPSG膜をマスクにナイトライド膜をパターニングする工程と、全面に多結晶シリコンを形成し、BPSG膜とPSG膜との開口部を多結晶シリコンで埋め込み、開口部の上部の多結晶シリコンの表面を滑らかに形成する工程と、多結晶シリコンの全面をエッチングして、開口部のみに多結晶シリコンを形成してゲート電極を形成する工程と、BPSG膜とPSG膜とナイトライド膜とを除去する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホトエッチング工程により層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程とを有することを特徴する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/78 301 G
