特許
J-GLOBAL ID：200903023610672260
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022343
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 窒素窒素をド-プしたZnSeなどII-VI族化合物半導体結晶薄膜を気相成長装置によって生成すること。【構成】 気相成長装置に、窒素をラジカルにして導入する機構を設ける。これは、窒素をプラズマ発生室8に導きこれを高周波またはマイクロ波によって励起してプラズマにするものである。ラジカルが薄膜の中に入り有効なド-パントとなる。プラズマ発生室と基板の間に金属製メッシュ10とベロ-ズ9を介在させる。メッシュにバイアス電圧を加えると窒素のイオンが高速で基板5に衝突するのを防ぐことができる。結晶性の良い薄膜結晶を生成できる。
請求項（抜粋）：
真空に引くことのできる反応炉と、反応炉の内部に設けられ基板を支持するサセプタと、サセプタを加熱するヒ-タと、II族元素を含み気体状態であるII族原料ガスを反応炉に導入するII族原料導入管と、VI族元素を含み気体状態であるVI族原料ガスを反応炉に導入するVI族原料導入管と、窒素をド-パントとして導入するための窒素ラジカル導入装置とを含み、窒素ラジカル導入装置は、窒素ガスを保持しこれをプラズマにするプラズマ発生室と、プラズマ発生室に設けた窒素ガスの励起装置と、プラズマ発生室の先端に設けたラジカル導入口と、プラズマ導入口の間に設けた金属製メッシュとよりなることを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/365
