特許

J-GLOBAL ID：200903023610762838

透明性導電膜およびその製造方法

発明者： 大山口 まき子 ,  笹川 孝市
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150009
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003628
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：

【要約】【目的】 低い抵抗率でかつ高透過率を有し、さらに透明性導電膜上に形成される他の膜との密着性に優れた透明性導電膜及び製造法を提供する。【構成】 絶縁物または絶縁物に被覆された基板上に成膜された酸化インジウム及び酸化錫を含む透明性導電膜100の透過率が膜厚:50〜500nm、波長350〜800nmにおいて常に80%以上であり、かつ前記導電膜の表面粗さ(RMS)が0.5〜1.3nmである。

請求項（抜粋）：

絶縁物または絶縁物に被覆された基板上に成膜された酸化インジウム及び酸化錫を含む透明性導電膜において、該導電膜の透過率が膜厚:50〜500nm、波長350〜800nmにおいて常に80%以上であり、かつ前記導電膜の表面粗さ(RMS)が0.5〜1.3nmであることを特徴とする透明性導電膜。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/32 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/32 Z ,  H01B 13/00 503 B