特許
J-GLOBAL ID：200903023615485387
磁気抵抗効果多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-036311
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213671
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 印加磁場が例えば0〜40Oe程度のきわめて小さい範囲で直線的なMR変化の立ち上がり特性を示し、磁場感度が高い磁気抵抗効果多層膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の製造方法とを提供する。【構成】 基板上に、非磁性層を介して設層された少なくとも2層の磁性層を有する磁気抵抗効果多層膜において、前記磁性層と非磁性層の各界面が、XおよびY方向に波打っていることを特徴とする。上記界面の波は、基板表面に、そのXおよびY方向に分布する凹凸を設け、この上に磁性層、非磁性層を設層することにより形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に、非磁性層を介して設層された少なくとも2層の磁性層を有する磁気抵抗効果多層膜において、前記磁性層と非磁性層の各界面が、XおよびY方向に波打っていることを特徴とする磁気抵抗効果多層膜。
IPC (2件)：
前のページに戻る
