特許
J-GLOBAL ID：200903023616655910
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065787
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283675
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 工程数を増加することなく低しきい値電圧トランジスタをウェル領域に作成する。【構成】 チャネル領域を部分的に跨ぎ且つソース・ドレイン領域に亘る幅を有するレジスト3Aをシリコン基板1上に配置し、pウェル4を形成するためのp型不純物による斜めイオン注入を行う。これにより、レジスト3Aの直下には不純物が導入されない低不純物濃度領域7が形成され、この領域7がMOSトランジスタ形成後、低Vth化に寄与する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に第1導電型のウェル領域をイオン注入で形成し、該ウェル領域に第2導電型のMOSトランジスタを形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記イオン注入は、前記MOSトランジスタのソース領域とドレイン領域に亘り、且つチャネル領域を部分的に跨ぐレジストを、マスクとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/088
, H01L 21/265
, H01L 29/784
H01L 27/08 102 B
, H01L 21/265 V
, H01L 29/78 301 C
