特許

J-GLOBAL ID：200903023622118497

所望の深さで埋込酸素層を有するウェーハを製造する方法およびSOIウェーハ

発明者： ジョン・ケイ・ローウェル
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255885
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】 埋込酸化物層を含むが半導体製造業者に一般に用いられるタイプの装置を用いて製造できるSOIウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 所望の深さで埋込酸化物層を有するウェーハを製造する方法。この方法は、酸素に富んだウェーハ30内に所望の深さで欠陥領域31を形成するために、1MeV以上のエネルギで標準的な種のイオンを酸素に富んだウェーハ内に注入するステップを含む。ウェーハは、ウェーハ内の酸素が埋込酸化物層32を形成するように欠陥領域にゲッターされるように、アニールされる。

請求項（抜粋）：

所望の深さで埋込酸素層を有するウェーハを製造する方法であって、酸素に富んだウェーハの少なくとも一部分に、1MeV以上のエネルギレベルで前記酸素に富んだウェーハ内の所望の深さで欠陥領域を形成するために、イオンを注入するステップと、前記ウェーハ内の酸素が前記欠陥領域にゲッターされ、前記埋込酸素層を形成するように、前記酸素に富んだウェーハをアニールするステップとを含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322

FI (3件)：

H01L 27/12 E ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/265 J