特許
J-GLOBAL ID：200903023626488027
プラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128593
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335623
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 被エッチング層の露出面積が異なる複数の基板に対し、最適のエッチング条件を与えるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 Al系金属層等の被エッチング層4上にTiON等のモニタ層5と、レジストマスク6を形成し、まずモニタ層5をプラズマエッチングすると、モニタ層6の露出面積に対応した強度の発光スペクトル値がモニタされる。このモニタ値にもとづき被エッチング層の露出面積を算出し、最適エッチング条件に切り替えて被エッチング層をパターニングする。【効果】 被エッチング層の露出面積に応じた最適エッチング条件の採用により、サイドエッチングやパターンシフトのない制御性のよい異方性エッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
被エッチング層上にモニタ層を形成し、該モニタ層のプラズマ発光スペクトル強度の測定値にもとづき、前記被エッチング層のエッチングパラメータを制御することを特徴とする、プラズマエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 A
