特許

J-GLOBAL ID：200903023628205294

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  細羽 弘之 ,  大林 健 ,  近藤 雅文 ,  兼岩 進治 ,  幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135380
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335681
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 閾値電流が低く、高出力においても高い微分効率で安定して基本横モード発振することができ、信頼性に優れる半導体発光素子を提供する。【構成】 活性層4の上方に積層形成された第3クラッド層9の両側を該第3クラッド層9の屈折率より小さい屈折率を有する埋込層14で覆うことによって、実屈折率差による第1の屈折率導波路が形成されている。さらにこの埋込層14の両側に光吸収層13を形成することにより、第2の屈折率導波路が形成されている。活性層4にて発生した光の基本横モードはその大部分が内側の第1の導波路によって閉じ込められる。高次横モードは基本モードに比べ接合面に平行な方向へのしみだしが大きく、光吸収層4による損失が大きくなるため、結果として安定な基本横モードが発振が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層がこの順に積層形成され、該第2クラッド層上に、突出形成されたストライプ状の第3クラッド層を有し、この第3クラッド層の両側に該第3クラッド層の屈折率より小さい屈折率を有する埋込層が形成され、さらに該埋込層の両側に光吸収層が形成された半導体レーザ素子。