特許

J-GLOBAL ID：200903023632834158

強誘電体薄膜の製造方法及びそれを有する強誘電体薄膜素子

発明者： 伊勢 智一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007526
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215975
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【構成】 強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子であって、該強誘電体薄膜素子を動作させるのに必要な最低の単位を構成する一つの独立区画の強誘電体薄膜が幅200μm以内、長さ200μm以内の大きさで、かつ単結晶状態であることを特徴とする強誘電体薄膜素子及びその該強誘電体薄膜の製造方法。【効果】 この発明によれば、強誘電体薄膜の一つの独立区画の大きさを幅200μm以内、長さ200μm以内にした後、熱処理をすることにより、強誘電体薄膜を単結晶状態にすることができ、強誘電体の自発分極Psが一方向に揃って配向している強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子を得ることができる。従って、強誘電体の自発分極Psの変化を最大にすることができ、大きい出力を有する強誘電体薄膜素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子であって、該強誘電体薄膜素子を動作させるのに必要な最低の単位を構成する一つの独立区画の該強誘電体薄膜が幅200μm以内、長さ200μm以内の大きさで、かつ単結晶状態であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/108 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z