特許
J-GLOBAL ID：200903023641013817
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286528
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180499
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】本発明は、輝度と信頼性の改善された窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極と、上記基板とn型窒化物半導体層の間に形成された少なくとも一つの中間層を含み、上記中間層はバンドギャップの互いに異なる3層以上が積層された多層構造を有し、上記中間層は上記n側電極より下に位置する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極と、
前記基板と前記n型窒化物半導体層の間に形成された少なくとも一つの中間層とを含み、
前記中間層はバンドギャップの互いに異なる3層以上が積層された多層構造を有し、前記中間層は前記n側電極より下に位置することを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA04
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-038259
出願人：株式会社東芝
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半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-300996
出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-206217
出願人：ローム株式会社
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