特許

J-GLOBAL ID：200903023644873540

半導体装置の製造方法

発明者： 井谷 直毅
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168138
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 埋込み酸化膜研磨による、ストッパー用窒化珪素膜厚のバラツキを減らし、膜剥がれを起こすことのない方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11上に、シリコン酸化膜12とシリコン窒化膜13とを順次形成する第一の工程と、素子分離領域のシリコン酸化膜12およびシリコン窒化膜13をエッチング除去する第二の工程と、前記シリコン酸化膜12およびシリコン窒化膜13をマスクにして半導体基板11に溝14を形成する第三の工程と、半導体基板11上にシリコン酸化膜15を形成する第四の工程と、半導体基板11上のチップ形成領域およびチップ非形成領域において、シリコン窒化膜13上方のシリコン酸化膜15に、シリコン窒化膜13が露出しない程度の溝16を形成する第五の工程と、シリコン窒化膜13をストッパーにしてシリコン酸化膜15を研摩する第六の工程と、シリコン窒化膜13およびシリコン酸化膜12を除去する第七の工程とを備える。

請求項（抜粋）：

第一および第二の領域を含む半導体基板上に、第一のシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを順次形成する第一の工程と、前記第一の領域に形成された第一のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を、所定形状にパターニングする第二の工程と、前記第二の工程後、前記第一のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜をマスクにして前記半導体基板に第一の溝を形成する第三の工程と、前記第三の工程後、前記第一および第二の領域を含む半導体基板上に第二のシリコン酸化膜を形成する第四の工程と、前記半導体基板上のチップ形成領域およびチップ非形成領域の第二のシリコン酸化膜に、前記シリコン窒化膜が露出しない程度の第二の溝を形成する第五の工程と、前記第五の工程後、前記シリコン窒化膜が露出するように前記第二のシリコン酸化膜を除去して平坦化する第六の工程と、前記第六の工程後、前記シリコン窒化膜および前記第一のシリコン酸化膜を除去する第七の工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/304 622 T