特許

J-GLOBAL ID：200903023653061787

シリコン選択成長方法

発明者： 大下 祥雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293297
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151309
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 マスク材としてシリコン窒化膜を使用したシリコン選択成長において、良好な選択性を維持しながらシリコンを選択的に成長させる。【構成】 水素還元法によるシリコン選択成長初期に、原料ガスおよびキャリアガスと同時に酸素ガスおよび塩化水素ガスを流し、シリコン表面が露出した部分に膜を堆積させることなく、シリコン窒化表面のみを酸化し、選択性の向上を実現する。その後、選択成長を行う結果、良好な選択性を維持しながら、シリコン結晶が成長する。

請求項（抜粋）：

前処理工程と、選択成長工程とを有するシリコン選択成長方法であって、前処理工程は、シリコン窒化膜をマスク材として使用し、水素還元法によるシリコン選択成長初期に、原料ガスと同時に酸素ガス並びに塩化水素ガスを流すことにより、シリコン窒化膜の表面のみを酸化し、かつシリコン表面が露出した部分を清浄に維持するものであり、選択成長工程は、前処理工程の直後に酸素ガスの供給を停止し、シリコンの選択成長を行い、シリコン窒化膜上のシリコン析出を抑制し、シリコン表面が露出した部分にのみシリコン結晶を選択的に成長させるものであることを特徴とするシリコン選択成長方法。