目標物のマイクロレリーフ及び近表面層の光学的特徴を測定する方法及びその方法を実施する変調干渉顕微鏡

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 増井忠弐 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 佐久間滋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-556278
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530106
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】【解決手段】本発明は、光学技術、特に近表面層のマイクロレリーフ、材料の光学定数の分布を測定する方法に関し、また、マイクロエレクトロニクス技術、ナノ技術、材料科学、医薬及び生物学用に使用することができる。本発明の目的は、レリーフの幾何学的パラメータ及び材料の光学定数の分布を測定するため空間的分解能を向上させ、光学異方性定数を含む、画定される定数の範囲を拡張し、材料定数の画成精度を著しく増大させ且つ、検査される目標物の数を増加させることである。近表面層のマイクロレリーフ及び光学特徴を測定する、本発明の方法及び該方法を実施するための変調干渉顕微鏡も開示されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

偏光変調を行う工程と、入射するコヒーレントな単色偏光光束を、マイクロレンズを通じて目標物の界を露光する目標光ビームと、基準光ビームとに分割する工程と、基準ビームの位相変調を行う工程と、光ビームの干渉混合を行う工程と、相互に直交する2つの偏光成分を抽出し且つ、インターフェログラム(interferogram;干渉写真)を得る工程と、前記インターフェログラムの最小部分(画素)を位置決めする工程と、前記部分の平均照射量をそれぞれの電気信号(変調信号)に変換する工程と、変調信号の可変成分の振幅及び位相、並びに変調信号の一定成分の値を測定する工程と、目標ビームから画素に当たる光の位相、振幅及び偏光パラメータの値を計算する工程と、目標物のマイクロレリーフ及び目標物の表面層の材料の光学的材料定数を計算する工程とを備える、目標物のマイクロレリーフ及び表面層の光学的性質を測定する方法において、光束を目標ビーム及び基準ビームに分割し、これらのビームの間にて光束の強さを制御された状態で再分布させる工程と、該再分布工程と同時に、目標ビーム及び基準ビームに対し偏光変調を別個に行う工程とであって、目標物の界の露光が、目標ビームを、マイクロレンズの前面側レンズの前面を内部から透過させることにより行われる前記再分布工程及び偏光変調を別個に行う工程と、光ビームの干渉混合を行う工程であって、測定する前、基準ビームと目標ビームとの間の照射量の比を事前に確立し、目標ビームから画素に当たる光の位相及び振幅値が事前に計算される前記干渉混合を行う工程と、全数の画素に対し操作を繰り返した後、目標ビーム及び基準ビームにて強さを再分布させることによりこれらのビームから1つの画素を別個に照射する量を等しくする工程と、次に、可変成分の位相及び振幅並びに変調信号の一定成分の値を測定する工程と、目標ビームから画素に当たる光の精密な位相及び振幅の値を計算する工程とを備えることを特徴とする、目標物のマイクロレリーフ及び表面層の光学的性質を測定する方法。

IPC (6件)：

G01N21/45 , G01B9/02 , G01J4/04 , G01J9/02 , G01M11/00 , G02B21/00

FI (6件)：

G01N21/45 A , G01B9/02 , G01J4/04 A , G01J9/02 , G01M11/00 T , G02B21/00

Fターム (27件)：

2F064EE02 , 2F064FF01 , 2F064GG13 , 2F064GG22 , 2F064GG23 , 2F064GG32 , 2F064GG39 , 2F064GG41 , 2F064GG44 , 2F064GG47 , 2F064GG51 , 2G059AA02 , 2G059BB08 , 2G059EE01 , 2G059EE04 , 2G059EE05 , 2G059EE09 , 2G059GG01 , 2G059JJ19 , 2G059JJ20 , 2G059KK01 , 2G086EE12 , 2H052AA03 , 2H052AA04 , 2H052AC05 , 2H052AC27 , 2H052AC34

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