バイポーラトランジスタとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223767
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078833
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は複数個のバイポーラトランジスタのコレクタコンタクト拡散層の形成方法に関し、バイポーラトランジスタの占める面積を小さくし、半導体装置の高集積化、微細化を図ることを目的とする。【構成】 Si基板1上に素子分離用の溝7で画定されたバイポーラトランジスタのコレクタコンタクト拡散層9が、溝7の側壁に沿って形成された構造を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si) 基板(1) 上に素子分離用の溝(トレンチ)(7)で画定されたバイポーラトランジスタのコレクタ(14)、及びコレクタ埋没拡散層(2) と同一導電型のコレクタコンタクト拡散層(9) が、該溝(7) の側壁に沿って形成された構造を有することを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 21/76 L

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