特許

J-GLOBAL ID：200903023667510363

半導体製造装置

発明者： 坂田 和之 ,  藤原 浩志 ,  大久 晃
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132249
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 チャンバー内の付着物を効率良くクリーニングすることが可能な半導体製造装置を提供する。【構成】 マグネットコイル9を、プラズマクリーニング時に電極3、4近傍に移動して、プラズマ8をガスパット2近辺に集中させる。

請求項（抜粋）：

反応ガスをチャンバー内に導入するガスパットと、このガスパットと、このガスパットの近傍に配設される一対の電極と、上記チャンバー内の上記ガスパットと対向する位置に配設され被処理部材を載置するペデスタルと、このペデスタル近傍に配設されるマグネットコイルとを備え、上記電極およびマグネットコイルによる電場および磁場によりプラズマを発生させ上記被処理部材上の処理を行う半導体製造装置において、上記マグネットコイルを移動可能としプラズマクリーニング時に上記電極近傍に移動させるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。