特許
J-GLOBAL ID：200903023668042665
超薄膜の上層を有する積層超格子材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
大渕 美千栄
, 布施 行夫
, 井上 一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572627
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505911
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
集積回路メモリセルの製造において、タンタル酸ストロンチウムビスマスまたはタンタルニオブ酸ストロンチウムビスマスの薄膜層(50)が基板(28、49)上に成膜され、超薄膜タンタル酸ビスマス層(51)を成膜する前に、慎重に制御されたUVべーク工程がタンタル酸ストロンチウムビスマス層(50)に対して行われる。第2の電極(52)が、超薄膜ビスマスタンタル酸塩層(51)上に形成される。
請求項（抜粋）：
集積回路(40)の製造方法であって、基板(28、49)と、加熱することによって積層超格子材料(50)の薄膜を形成するために有効な量の金属分を含む第1の前駆体とを準備する工程と、前記第1の前駆体を前記基板に塗布して第1のコーティング膜を形成する工程と、前記第1のコーティング膜を処理して前記積層超格子材料の薄膜を形成する工程と、前記集積回路に前記積層超格子材料の前記薄膜の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路の製造を完結させる工程と、を含み、
加熱することによって非強誘電体材料(51)を形成するために有効な量の金属分を含む第2の前駆体を準備し、
第2の前駆体を前記基板に塗布して第2のコーティング膜を形成し、
前記第1のコーティング膜を処理する工程は、前記第1のコーティング膜に紫外線を照射することを含み、
前記第2のコーティング膜を処理し、それによって前記基板上に前記積層超格子材料の前記薄膜を形成し、かつ、前記積層超格子材料上に前記非強誘電体材料の超薄膜を形成し、
前記完結させる工程は、前記集積回路に前記積層超格子材料上の前記非強誘電体材料の前記超薄膜の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路の製造を完結させることを含む、製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/316 G
, H01L27/10 444B
5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BD05
, 5F058BF06
, 5F058BF46
, 5F058BH03
, 5F058BH17
, 5F058BJ02
, 5F058BJ04
, 5F083FR02
, 5F083GA27
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA43
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA19
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR34
