特許

J-GLOBAL ID：200903023670530693

薄膜デバイスの絶縁膜形成方法

発明者： 中東 孝浩 ,  桑原 創
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218005
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 薄膜デバイスの絶縁膜形成方法であって、比較的低温で、しかも従来よりもステップカバリッジにすぐれ、より平坦な絶縁膜を従来より高速で形成することができる方法を提供する。【構成】 有機シラン-O2 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記原料ガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電力の印加により行い、該高周波電力の印加とともに絶縁膜を形成すべき物品に高周波バイアスを印加する薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

請求項（抜粋）：

有機シラン-O2 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記原料ガスのプラズマ化をパルス変調をかけた高周波電力の印加により行い、該高周波電力の印加とともに絶縁膜を形成すべき物品に高周波バイアスを印加することを特徴とする薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-248955
  
• 特開昭62-218041