特許

J-GLOBAL ID：200903023675265483

半導体装置の製造方法

発明者： 野口 靖夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203655
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045791
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 NPNトランジスタとコンデンサを同時に形成する方法にて、コンデンサの横方向パターン面積を変えることなく表面積を増加させること。【構成】 フィールド酸化膜をコンデンサ内に多数、小刻みに形成し、これをエッチングした跡のシリコン段差部にコレクタリンのN+ 型拡散を行ない、LPCVD法による窒化膜16を形成する。この方法でコンデンサ表面積は約15%増加する。また、フィールド酸化を二度行なう場合には約40%増加させることができる。したがって所望の容量値をもつコンデンサを形成するとき、この増加分だけ従来のパターン面積を縮小することができ、チップ縮小化が図れ、コスト低減ができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面を選択的に熱酸化して厚さ0.5μm以上の酸化膜をフィールド領域上に形成すると同時にコンデンサ領域上にもできるだけ小刻みに多数形成する工程と、前記コンデンサ領域上の前記酸化膜を選択的にエッチングして前記半導体基板表面に多数の凹凸を形成する工程と、前記凹凸部および前記凹凸部から延在する前記半導体基板表面の一部に不純物を導入して前記半導体基板よりも高濃度の拡散領域を形成する工程と、前記凹凸部にコンデンサの誘電膜を形成する工程と、前記誘電膜の上および前記高濃度拡散領域の一部の上にそれぞれコンデンサの電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 101 D