特許

J-GLOBAL ID：200903023676921007

レジストパターンの形成方法

発明者： 山東 伸明 ,  田中 裕之 ,  及川 朗 ,  宮田 修一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258247
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110214
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、ポジ型又はネガ型レジストパターンを微細に形成する際にポジ型レジストパターン上部に庇が生じないようにすることができるとともに、ネガ型レジストパターン上部に丸みを生じないようにすることができ、レジストパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができ、エッチング後のパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に化学増幅レジストを塗布する工程と、次いで、該化学増幅レジスト上に光酸発生剤を含有する透明皮膜を形成する工程と、次いで、該化学増幅レジストをパターン露光する工程と、次いで、該透明皮膜を除去する工程と、次いで、パターン露光された該化学増幅レジストを現像して化学増幅レジストパターンを形成する工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に化学増幅レジストを塗布する工程と、次いで、該化学増幅レジスト上に光酸発生剤を含有する透明皮膜を形成する工程と、次いで、該化学増幅レジストをパターン露光する工程と、次いで、該透明皮膜を除去する工程と、次いで、パターン露光された該化学増幅レジストを現像して化学増幅レジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027