特許

J-GLOBAL ID：200903023680901762

半導体メモリ及びその製造方法

発明者： 横山 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001233
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046067
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】動作時の発熱に起因する内部温度分布を均一化して半導体メモリ間での特性のばらつき発生を防止し得る半導体メモリを提供する。【解決手段】半導体メモリは、(A)選択用トランジスタTRAと、(B)第1の電極21とキャパシタ層22と第2の電極23とから成るメモリセルMCAMから構成され、第1の電極21は選択用トランジスタTRAを介してビット線BLAに接続され、メモリセルMCAMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層25が形成されている。

請求項（抜粋）：

(A)選択用トランジスタと、(B)第1の電極とキャパシタ層と第2の電極とから成るメモリセル、から構成され、第1の電極は選択用トランジスタを介してビット線に接続された半導体メモリであって、メモリセルの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層が形成されていることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 501 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (4件)：

G11C 11/22 501 P ,  G11C 11/22 501 Z ,  H01L 27/10 444 Z ,  H01L 27/10 321

Fターム (27件)：

5F083AD69 ,  5F083FR01 ,  5F083FR10 ,  5F083GA13 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA51 ,  5F083KA19 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40