低温直接ボンディングにより形成可能な装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-536101
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507058
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】半導体装置は、横方向に拡がる半導体ベース(82,96)と、ベースに隣接し第1導電型ドーパントを有するバッファ(83)と、バッファに隣接し、ベースの反対側にあり、第2導電型ドーパントを有する横方向に拡がるエミッタ(85)とを含む。バッファ(83)は薄型であり、電流増大に対する負の温度係数と順方向電圧に対する正の温度係数を半導体装置に与えるため、隣接したエミッタ部の第2導電型ドーパント濃度よりも高い第1導電型ドーパント濃度を有する。バッファは、シリコン若しくはゲルマニウムである。低温接合型界面(103)は、エミッタ・バッファ間、又は、バッファ・ベース間に設けられる。半導体装置の別の実施例は、逆極性にドープされた第1の横方向延在部分と第2の横方向延在部分の間に横方向に拡がる局在化ライフタイムキル部分(92,102)を含む。局在化ライフタイムキル部分は、横方向に制限され、横方向に隙間が設けられた複数のライフタイムキル領域を有する。別の半導体装置は、一つ以上のPN接合を有する。

請求項（抜粋）：

横方向に拡がる横方向拡張半導体ベースと、上記ベースに隣接し第1導電型ドーパントを有する横方向拡張バッファと、上記バッファに隣接し上記ベースの反対側にあり、第2導電型ドーパントを有する横方向拡張エミッタとを含み、上記バッファは、装置の電流利得に対する負の温度係数と、順方向電圧に対する正の温度係数とを与えるため、比較的薄く、隣接したエミッタ部分の第2導電型ドーパント濃度よりも高い第1導電型ドーパント濃度を有する、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 , H01L 29/78 656 , H01L 21/322 , H01L 29/749 , H01L 21/336 , H01L 29/80

FI (8件)：

H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 655 B , H01L 29/78 656 A , H01L 21/322 L , H01L 29/74 601 A , H01L 29/74 658 K , H01L 29/74 658 H , H01L 29/80 V

Fターム (25件)：

5F005AA02 , 5F005AA03 , 5F005AB02 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AD01 , 5F005AE09 , 5F005AF01 , 5F005AF02 , 5F005AG02 , 5F005AH02 , 5F005AH04 , 5F005GA01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK02 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

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