特許
J-GLOBAL ID：200903023686266457
アッシング方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067738
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 ポッピング現象の発生を確実に防止しかつ表面に硬化層を有するレジストを効果的に除去し得るアッシング方法を提供する。【解決手段】 プラズマガスによるレジスト除去作用を促進しかつレジスト24に部分的な破裂を生じない第1の温度の環境下で、プラズマガスを用いてレジスト24の表面に形成された硬化層を除去し、この硬化層の除去後、第1の温度よりも高い第2の温度の環境下で、プラズマガスを用いてレジスト24の残存部分を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に形成され、硬化層を表面に有するレジストをプラズマガスを用いて除去するアッシング方法であって、前記プラズマガスによるレジスト除去作用を促進しかつ前記レジストに部分的な破裂を生じない第1の温度の環境下で、前記プラズマガスを用いて前記硬化層を除去すること、該硬化層の除去後、前記第1の温度よりも高い第2の温度の環境下で、前記プラズマガスを用いて前記レジストの残存部分を除去することを特徴とするアッシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
