特許
J-GLOBAL ID：200903023686912146
半導体メモリ素子のバンク分散方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172281
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069767
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体メモリ素子において、それぞれ分割されたセルを効率的に束ねてバンクを構成するバンク分散方法に関する。【解決手段】 本発明の半導体素子のバンク分散方法は、2Bビットのセルアレイを水平方向に2X個分ける工程と、2Bビットのセルアレイをさらに垂直方向に2Y個分け2X+Yに分割する工程と、前記工程等により分割された各セルを2B-X-Yビット束ねに分割して、相互独立的に動作するバンクに分散配置する工程を含む。
請求項（抜粋）：
2Aビットの容量を有する半導体メモリ素子のローデコーダ及びカラムデコーダを中心に、2Bビットのセル等とビットラインセンスアンプ等を含むセルアレイが両側に位置してなるセルブロックが2A-B-1個存在する半導体メモリ素子のバンク分散方法において、前記2Bビットのセルアレイを水平方向に2X個に分ける工程と、前記2Bビットのセルアレイをさらに垂直方向に2Y個に分けて2X+Y個に分割する工程と、前記工程等により分割した各セルを2B-X-Yビットずつの束に分割して、相互独立的に動作するバンクを分散させて位置させる工程とを含み、前記A、B、X及びYは自然数であることを特徴とする半導体メモリ素子のバンク分散方法。
IPC (4件)：
G11C 11/401
, G11C 11/41
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 362 H
, G11C 11/34 301 E
, H01L 27/10 681 E
