特許
J-GLOBAL ID：200903023688665596
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298950
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152001
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 アルミ系配線金属の断線を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】 半導体基板1にトランジスタを形成し、半導体基板1上にシリコン酸化膜4を介してアルミ配線金属9を形成し、アルミ配線金属9を含む半導体基板1上に強磁性磁気抵抗素子薄膜10を堆積する。そして、トランジスタ形成領域の半導体基板1上でのアルミ配線金属9の段差部9bを含む強磁性磁気抵抗素子薄膜10a,10bの配置領域に強磁性磁気抵抗素子薄膜10を残して当該薄膜10をエッチングした。よって、トランジスタ形成領域の半導体基板1上でのアルミ配線金属9の段差部9b上に強磁性磁気抵抗素子薄膜10が積層されることとなる。
請求項（抜粋）：
素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を介してアルミ系配線金属を配置するとともに当該アルミ系配線金属上から所定パターンの磁気抵抗素子薄膜を延設した半導体装置において、素子形成領域の半導体基板上でのアルミ系配線金属の少なくとも段差部上に前記磁気抵抗素子薄膜を積層したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, H01L 43/12
