特許
J-GLOBAL ID：200903023693048163
窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-022848
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222807
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 サファイア基板の上に成長させた窒化物半導体層から光共振面となるような劈開面を形成して、レーザ素子を実現する。【構成】 サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体よりなるn型層と、活性層と、p型層とが順に積層されたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形成する方法であって、前記p型層側を活性層に達しない深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備える。
請求項（抜粋）：
サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体よりなるn型層と、活性層と、p型層とが順に積層されたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形成する方法であって、前記p型層側を活性層に達しない深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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