特許
J-GLOBAL ID：200903023697875250
半導体装置及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019824
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260288
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した結晶性珪素膜中の金属元素の濃度を減少させる。【解決手段】 非晶質珪素膜103に対してニッケル元素を導入した後、結晶化のための第1の加熱処理を行う。そして結晶性珪素膜が得られた後に先の加熱処理よりも高い温度で酸化性雰囲気中での再度の加熱処理を行う。この時、雰囲気中にHCl等を添加する。この工程において熱酸化膜106が形成される。この際、熱酸化膜106中にニッケル元素のゲッタリングが行なわれる。次に熱酸化膜106を除去する。こうすることで、低い金属元素の濃度で高い結晶性を有する結晶性珪素膜107を得ることができる。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に導入し第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中で第2の加熱処理を行い前記結晶性珪素膜中に存在する当該金属元素を除去または減少させる工程と、前記工程で形成された熱酸化膜を除去する工程と、前記熱酸化膜を除去した領域の表面上に再度の熱酸化により熱酸化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/322
, H01L 21/324
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/322 Q
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 G
