特許

J-GLOBAL ID：200903023700320958

メッキ成膜方法及びメッキ成膜装置

発明者： 北田 秀樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078042
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277985
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 Cuデュアルダマシンメッキ成膜において、ボトムアップ成膜(トレンチやビア底からの優先成長)の弊害である、パターントレンチ上部におけるメッキ膜の異常盛り上がり現象(オーバープレート、OP)を抑える成膜方法を提供する。OPによるメッキ膜表面の段差は後工程のCMP工程でディッシング量の増加などの問題が生ずる。【解決手段】 メッキ成膜中においてOPの生じ得るトレンチ/孔を埋め込んだ後に熱処理を行う。その後,残りのメッキ処理を行なう。メッキ埋め込み性能を損なうことなく、メッキ後のトレンチ上部におけるOP量が低減し、CMP工程の歩留まりを向上することが可能となる。

請求項（抜粋）：

(a)トレンチ/孔を有する加工対象物に第1のメッキ成膜を行なう工程と、(b)工程(a)の後に加工対象物に熱処理を行なう工程と、(c)工程(b)の後、加工対象物に第2のメッキ成膜を行なう工程と、を含むメッキ成膜方法。

IPC (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (23件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BA09 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC01 ,  4K024CA01 ,  4K024CA15 ,  4K024CB02 ,  4K024CB13 ,  4K024CB20 ,  4K024CB22 ,  4K024CB26 ,  4K024DA01 ,  4K024DA05 ,  4K024DA07 ,  4K024DB01 ,  4K024EA02 ,  4K024EA06 ,  4K024GA02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78