特許
J-GLOBAL ID:200903023701649155

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-234239
公開番号(公開出願番号):特開2001-056556
出願日: 1999年08月20日
公開日(公表日): 2001年02月27日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、現像の際の現像欠陥発生及びエッジラフネスの発生の問題を解消し、更に疎密依存性に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、特定の構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、並びに特定の溶媒を全溶剤に対して60〜90重量%含有する溶剤を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び(C)下記(a)の溶媒を全溶剤に対して60〜90重量%含有する溶剤(a)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート,プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート,3-メトキシプロピオン酸メチル,3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチルから選択される少なくとも1種の第1の溶媒を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)中;R1は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜4個のアルキル基を表す。R2〜R7は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。但し、R6、R7のうち、少なくとも一つは水素原子以外の基である。R6とR7が結合して環を形成してもよい。m、nは、各々独立に、0又は1を表す。但し、m、nは同時に0を表すことはない。
IPC (3件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 20/18
FI (3件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 20/18
Fターム (55件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA11 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC01 ,  2H025CC03 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05R ,  4J100BA08R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA12P ,  4J100BA12R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA55R ,  4J100BA58R ,  4J100BA59R ,  4J100BB01R ,  4J100BC02P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC15Q ,  4J100BC23R ,  4J100BC26P ,  4J100BC36R ,  4J100BC48R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

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