特許

J-GLOBAL ID：200903023704773655

シリコン基板に深くて垂直な構造を作製する方法

発明者： ヨハン・バルサ ,  ヨハン・グレシュネル ,  ロベルト・ユンギンゲル ,  ゲオルグ・クラウス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010546
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250466
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン基板に深くてほぼ垂直な構造を作製する方法を提供する。【解決手段】 最初に、シリコン基板2を、第1の所定の深さd1 まで異方性プラズマ・エッチングし、第1の構造を作製する。次に、基板の表面を、耐エッチング・コーティング4でコンフォーマルに被覆し、コーティングの水平部分6を選択的に除去する。この除去に続いて、基板を、SF6 /O2 の混合ガスを用いて第2の所定の深さd2 まで低温で異方性プラズマ・エッチングし、第2の構造を作製する。最後に、コーティングの垂直部分を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板内に深くてほぼ垂直な構造を作製する方法において、(a)第1の所定の深さまでシリコン基板を異方性プラズマ・エッチングして第1の構造を作製する工程と、(b)前記第1の構造の前記基板の表面を耐エッチング・コーティングでコンフォーマルに覆う工程と、(c)前記コーティングの水平部分を選択的に除去する工程と、(d)SF6 /O2 の混合ガスを用いて第2の所定の深さまで低温で基板を異方性プラズマ・エッチングし、第2の構造を作製する工程と、(e)前記コーティングの垂直部分を除去する工程と、を含む方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-309633