特許
J-GLOBAL ID：200903023705342836
集束イオンビーム装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-093595
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182628
出願日： 1991年03月29日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】集束イオンビーム装置において、集束イオンビームを、偏向走査させる偏向制御電圧を任意の振幅パターンに制御して、所望の断面プロファイルを得るイオンビーム加工処理を行なえるようにする。【構成】イオン源11より放出された集束イオンビームBを偏向電極15に供給した偏向制御電圧によって偏向走査させながら、基板表面10に照射して加工処理を行なうようにした集束イオンビーム装置の改良であって、偏向電極15に供給する偏向制御電圧Eの振幅パターンを、時間変化させた波形に変調制御する偏向制御電圧変調手段18を備えた構成としている。
請求項（抜粋）：
イオン源より放出された集束イオンビームを偏向電極に供給した偏向制御電圧によって偏向走査させながら、該集束イオンビームを基板表面に照射して加工処理を行なうようにした集束イオンビーム装置において、上記偏向電極に供給する偏向制御電圧の振幅パターンを、時間変化させた波形に変調制御する偏向制御電圧変調手段を備えた構成とした集束イオンビーム装置。
IPC (4件)：
H01J 37/305
, H01J 37/147
, H01L 21/027
, H01L 21/461
