特許

J-GLOBAL ID：200903023712274056

積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

発明者： 野田 悟 ,  浜田 邦彦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283314
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093655
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、耐回路基板伸縮性ならびに耐回路基板曲げ性に優れた、高信頼性の積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設けられた端子電極とを備える積層セラミックコンデンサであって、端子電極は、導電成分と、Pbを含まないB-Si-Ba-O系結晶化ガラスフリットと、を含有する導電性ペーストが焼き付けされてなり、結晶化ガラスフリットは、焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、それぞれの端縁が前記セラミック層の何れかの端面に露出するように前記セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた端子電極とを備える積層セラミックコンデンサであって、前記端子電極は、導電成分と、Pbを含まないB-Si-Ba-O系結晶化ガラスフリットと、を含有する導電性ペーストが焼き付けされてなり、前記結晶化ガラスフリットは、前記焼き付け時のピーク温度近傍で結晶化することを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。

IPC (4件)：

H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 ,  H01G 4/30 311

FI (4件)：

H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 F ,  H01G 4/30 311 E

Fターム (18件)：

5E001AB03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC33 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082GG12 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ13 ,  5E082JJ23 ,  5E082LL01 ,  5E082MM24 ,  5E082MM28 ,  5E082PP06