特許

J-GLOBAL ID：200903023724413477

発光素子およびその製造方法

発明者： 浜野 広 ,  荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293983
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135827
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 Al混晶比xを小さくした場合の発光強度の低下を防止する。【解決手段】 表面にx=0.15のn型Alx Ga1-x As層1aを形成した半導体基板1を用意し(a)、この上に開口部2aを有する拡散マスク膜(絶縁膜)2を形成する(b)。次にこの上にp型不純物となるZnを含む拡散源膜3を成膜し、その上にアニールキャップ膜4を成膜する(c)。次に拡散アニール処理により、開口部2aにおいて拡散源膜3からn型層1aにZnを拡散させ、p型Alx Ga1-x As領域5を形成する。このあと、拡散源膜3およびアニールキャップ膜4を除去し、p型領域5にコンタクトするp側電極を設ける。xが小さいのでp側電極をp型領域5にオーミックコンタクトさせることができ、また従来のように基板表面にGaAsコンタクト層を設けていないので高濃度のp型領域を形成でき、このため電流が広がり、発光強度の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のAlx Ga1-x As層および前記第1導電型Alx Ga1-x As層に接合する第2導電型のAlx Ga1-x As領域を有する半導体基板と、前記第2導電型Alx Ga1-x As領域に接続する第2導電側電極とを備え、前記第2導電側電極が、前記第2導電型Alx Ga1-x As領域にコンタクトしていることを特徴とする発光素子。