特許

J-GLOBAL ID：200903023727131588

窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者： 元木 健作 ,  秋田 勝史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001396
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 反応管内の材質をpBNとすることにより、所望波長にのみ単一発光ピークが存在するPL特性を備えるエピタキシャル成長層を得ること。【解決手段】本発明では、石英を基材とする反応管(1)において、窒素(N)含有原料ガス(NH3 )が高温状態で接触するおそれがある内面、つまり、側壁の内面及びノズル(31)の内面がpBN被覆(1C,3C)で構成される。そして、原料ガス(NH3 )が反応管(1)内に導入され、MOCVPE法やHVPE法等のホットウォール法によって、窒化物系化合物半導体(GaN)が基板の上にエピタキシャル成長させられる。その際、所定部位のpBN化(1C,3C)によって、原料ガスと石英との反応が回避され、エピタキシャル成長層には、所望波長にのみ単一の発光ピークが存在するPL特性が得られる。

請求項（抜粋）：

少なくとも窒素(N)を含む原料ガスを反応管内に導入して、MOCVPE法やHVPE法等のホットウォール法によって、窒化物系化合物半導体を基板の上にエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも前記原料ガスが高温状態で接触するおそれのある反応管内の壁面の材質を、pBNから成る窒化物で構成することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/08 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/08 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205