特許

J-GLOBAL ID：200903023728562841

半導体装置及びその製造方法

発明者： 西辻 充
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193127
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036841
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【構成】 配線周囲空間を保持した状態で層間絶縁膜中に配線を形成した半導体集積回路配線の構成及びその製造方法。【効果】 第1層配線4の周囲に空間6を形成し、スピンオングラス膜3を用いて配線4を層間絶縁膜中に埋め込む構造を適用する。素子の平坦性を保持した状態で配線間容量の小さい配線をショートや断線の問題なしに最上層だけでなく任意の層の配線に適用することが可能であり、配線間容量の小さい配線構造の多層配線化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路素子の配線として、配線上に少なくとも2種類以上のドライエッチングレートの異なる絶縁膜をエッチングレートの高い順に堆積した絶縁膜層を有し、最上層絶縁膜に形成した小孔を通してドライエッチングレートの高い配線周囲の絶縁膜のみをドライエッチングによって除去した空間を保持した状態で、スピンオングラス膜を塗布、焼結した構成を有し、その上に上層配線を形成することを特徴とする半導体装置。