特許

J-GLOBAL ID：200903023733240453

金バンプおよびその形成方法

発明者： 松本 健
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340595
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 金バンプを形成した場合、金バンプと下地のバリアメタルの接合性および外部リードとの接合性が十分に取れない場合がある。【解決手段】 電極パッド8上にTi,TiWなどのバリアメタル9を形成し(A)、第1段階として、レジスト10をマスクとして金めっき液温度を従来よりも高く約65°C以上で粒子径の粗い金を成長させる(B)。これにより金バンプとその下地のバリアメタル9部分の接合性が向上する。また、さらにめっき温度を約55°C以下にして粒子径の小さい金を成長させる(C)、そして金バンプの11の表面状態をフラットにすることによって外部リードとの接合性も改善される。

請求項（抜粋）：

底面を含む下部の金粒子径よりも、上面を含む上部の金粒子径の方が小さく形成されていることを特徴とする金バンプ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/92 604 B

Fターム (9件)：

4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF17 ,  4M104HH08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-215735   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042187   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-276247
  
• 特開昭63-276247