特許

J-GLOBAL ID：200903023733264255

半導体装置の製造方法

発明者： 谷名 修 ,  土本 淳一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226357
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097281
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 熱処理後もポリサイド配線のコンタクトをオーミックに維持する。【構成】 ポリシリコン層4とタングステンシリサイド層5で構成されるポリサイド配線は、コンタクトホール3aにおいてN型拡散層1とコンタクトしている。ポリシリコン層4は、減圧熱CVDを用いて"in-situ"にリンがドープされたポリシリコン層として形成する。その後、リンを高濃度に含有するタングステンシリサイド(WSi2)をターゲットとしてスパッタを行うことによって、リンを1×1020〜10×1020atom/cm3程度に含んだWSi2層5を形成する。その後、熱処理が行われても、WSi2層5には高濃度のリンがドープされているために、ポリシリコン層4のリンがWSi2層5へと拡散することが抑制される。【効果】 ポリシリコン層4のリンが拡散しないのでコンタクトはオーミックに維持され、実用上十分に低いコンタクト抵抗が得られる。

請求項（抜粋）：

多結晶半導体層と半導体金属化合物層とを少なくとも各1層ずつ有する多層構造のポリサイド配線が配設され、前記多結晶半導体層と他の半導体層または半導体金属化合物層とのコンタクトが形成された半導体装置の製造方法において、(a)第1不純物が導入された多結晶半導体層として前記多結晶半導体層を形成する工程と、(b)前記第1不純物と同一導電形式の第2不純物が導入された半導体金属化合物層として前記半導体金属化合物層を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043984   出願人：富士通株式会社
• 特開昭64-076759
  
• 特開昭64-076759