特許
J-GLOBAL ID：200903023734553293
多層回路基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291297
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140766
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 金属配線層の金属の樹脂絶縁層内への拡散を抑制する。【構成】 多層回路基板は、セラミック基板2と、第1樹脂絶縁層3と、その間に配置された金属配線本体11と、金属配線本体11の両主面及び両側面に形成された下面密着層12,上面密着層13及び側面密着層14を備えている。側面密着層14は、エッチング工程で金属配線本体11の側面に隙間を形成し、その隙間に密着層14を形成することで得られる。
請求項（抜粋）：
絶縁体と、前記絶縁体上に積層された樹脂絶縁層と、前記絶縁体と樹脂絶縁層との間に配置された金属配線層と、前記金属配線層の両主面及び両側面に形成された、前記金属配線層と前記樹脂絶縁層との密着性を向上させるための金属密着層と、を備えた多層回路基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 1/09
, H05K 3/38
