特許
J-GLOBAL ID：200903023740144168
スリップ耐性評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333175
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142545
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、電子デバイス作製用ウェーハに対して正確なスリップ耐性の評価測定を行うことが可能なスリップ耐性評価方法を提供することである。【解決手段】 RTA装置10のチャンバー11内で短時間で加熱したウェーハ18と3点支持部15によるウェーハ18の保持部との接触部周辺に生じるスリップの長さを測定することによりウェーハ強度を評価する。
請求項（抜粋）：
加熱した被測定シリコンウェーハに生じるスリップの長さを測定することにより、該被測定シリコンウェーハの強度評価を行うスリップ耐性評価方法において、前記被測定シリコンウェーハをRTA装置内のウェーハ支持部により支持させてRTA処理した後、当該被測定シリコンウェーハに生じるスリップの長さを測定することを特徴とするスリップ耐性評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 P
, H01L 21/26 T
4M106AA01
, 4M106BA10
, 4M106CB30
, 4M106DH56
