特許

J-GLOBAL ID：200903023749368310

気相成長用サセプタ及びその製造方法

発明者： 外谷 栄一 ,  高村 勝之
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  徳山東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355716
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189695
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 単結晶シリコンウエハ上にエピタキシャル成長させ2層構造に成膜させる際に用いるサセプタで、得られるエピタキシャルウエハ、例えば、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)ウエハの2層間のSR値差を大きくダレを生じることなく急峻に変化させることができ、ウエハから得られるデバイスの特性を均質で優れたものにする気相成長用サセプタの提供。【解決手段】 カーボン基材表面をSiC膜で被膜してなる気相成長用サセプタであって、半導体ウエハを載置する凹部を有し、該サセプタ表面の表面粗さ(Ra)が該凹部を除き15〜30μmであり、かつ、該表面におけるSiC膜の結晶粒の50%以上が粒径50〜150μmであることを特徴とする気相成長用サセプタ。

請求項（抜粋）：

カーボン基材表面をSiC膜で被膜してなる気相成長用サセプタであって、半導体ウエハを載置する凹部を有し、該サセプタ表面の表面粗さ(Ra)が該凹部を除き15〜30μmであり、かつ、該表面におけるSiC膜の結晶粒の50%以上が粒径50〜150μmであることを特徴とする気相成長用サセプタ。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• サセプタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-226705   出願人：東芝セラミックス株式会社, 徳山セラミックス株式会社
• 特開平3-257089