半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199274
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006849
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】露光装置の1回の露光で可能なフィールドサイズ以上の領域の所望パターンを複数に分割し、この分割されたパターンをつなぎ合わせて露光することで前記所望パターンを形成する。【構成】縮小投影型露光装置の1回の露光で可能なフィールドサイズ以上の領域の所望パターンを複数に分割し、この分割されたパターンをつなぎ合わせて露光することで前記所望パターンを形成する。好ましくは露光するパターン相互の連結部分を重複露光して二重露光領域を形成する。

請求項（抜粋）：

露光装置の1回の露光で可能なフィールドサイズ以上の領域の所望パターンを複数に分割し、この分割されたパターンをつなぎ合わせて露光することで前記所望パターンを形成する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 C , H01L 21/30 311 Z

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-071509
特開平1-154519
特開平1-276717

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