特許

J-GLOBAL ID：200903023750892235

強磁性磁気抵抗素子

発明者： 尾中 和弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335651
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 強磁性磁気抵抗素子において、200°Cにて3000時間以上の連続使用を可能にし、抗折強度が大きく、保護膜の密着強度が大きい信頼性の高く、スルーホール電極を備えることにより出力を向上させ、製造歩留まりを向上させた素子を安価に提供するものである。【構成】 アルミナ焼結体基板1表面に形成されたニッケル合金の強磁性磁気抵抗薄膜2と、この強磁性磁気抵抗薄膜2を覆う保護膜3とを備え、さらに厚膜スルーホール電極4にて裏面電極と導通させ、基板の表面研磨プロセスを最後にすることに依って製造歩留まりを向上させたものである。

請求項（抜粋）：

結晶の粒径を1〜10μmとしたアルミナ焼結体からなる基板の表面に形成されたニッケル合金の強磁性磁気抵抗薄膜と、この強磁性磁気抵抗薄膜と接続されかつ基板の裏面に形成した電極と、前記強磁性磁気抵抗薄膜と前記裏面の電極とを導通させるスルーホールと、前記磁気抵抗薄膜を覆う保護膜とを備えた強磁性磁気抵抗素子。