半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284351
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121734
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】ポリシリコン中のほう素の拡散率を抑制し、P型多結晶シリコンをゲート電極とするMOSトランジスタの特性を安定化させ得る技術を提供する。【構成】ポリシリコン中に窒素を導入させ、引き続いて熱処理を行なうことによって、ポリシリコン中に存在する余分な未結合手を窒素と結合させることによって、ポリシリコン中の不純物の拡散率を低下させる。【構成】不純物の拡散率を低下させることにより、不純物導入後の熱処理温度及び時間に余裕をもてる。このため、不純物導入時に形成される結晶欠陥を十分回復させることが出来、素子の信頼性が向上する。さらに、導入した不純物のイオン化率を高め、配線層との接触抵抗を下げ、トランジスタ部の移動度も5パーセント程度向上する。

請求項（抜粋）：

おもに4族の元素からなり多結晶構造を有している半導体装置に於いて、前記多結晶構造中には1×109[個/cm3]〜5×1020[個/cm3]の窒素原子が含まれている事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭52-146567
特開昭62-177919
特開平4-287929

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