特許
J-GLOBAL ID：200903023763718501
半導体イオンセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087008
公開番号（公開出願番号）：特開2003-279533
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】【課題】 応答寿命及び応答安定性が優れた半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】 ゲート酸化膜5の表面にイオン感応膜6を設けた半導体イオンセンサにおいて、上記イオン感応膜6が、可塑剤と、イオノフォアと、油吸収性ポリマーと、不飽和脂肪族化合物-酢酸ビニル共重合体とを用いたイオン感応膜6である半導体イオンセンサ。特に、上記イオン感応膜6が、ゲート酸化膜5の表面に、可塑剤と、イオノフォアと、不飽和脂肪族化合物-酢酸ビニル共重合体とを含む層を設け、その表面に、可塑剤と、イオノフォアと、油吸収性ポリマーとを含む層を設けたイオン感応膜である半導体イオンセンサ。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化膜の表面にイオン感応膜を設けた半導体イオンセンサにおいて、上記イオン感応膜が、可塑剤と、イオノフォアと、油吸収性ポリマーと、不飽和脂肪族化合物-酢酸ビニル共重合体とを用いたイオン感応膜であることを特徴とする半導体イオンセンサ。
FI (3件)：
G01N 27/30 301 G
, G01N 27/30 301 U
, G01N 27/30 301 V
