ショットキー障壁を持つ半導体デバイスの製造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：沢田雅男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516097
公開番号（公開出願番号）：特表2004-522319
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】ショットキー電極と、トレンチ絶縁された電極に横方向に境を接する第1の導電型の半導体本体部との間にショットキー障壁を持ち、ショットキー障壁がトレンチ絶縁された電極に隣接する逆の、第2の導電型のガード領域に横方向に終端する半導体デバイスの製造において、ガード領域、トレンチ絶縁された電極、ショットキー障壁を、互いに関してセルフアラインさせること。【解決手段】ショットキー障壁を含有するトレンチゲートパワーMOSFET、トレンチショットキー整流器、および、他のデバイスの製造において、スペーサ(52)を設けて、狭開口(52a)を、ショットキー障壁(80)が形成されるべき位置をマスクするマスクパターン(51, 51s)の、より広い開口(51a)に形成することによって、ガード領域(15s)、トレンチ絶縁された電極(11s)、ショットキー障壁(80)が、互いに関してセルフアラインされる。トレンチ絶縁された電極(11s)は、狭開口(52a)においてトレンチ(20)をエッチングによって形成して、そのトレンチ内に絶縁材料(17)と、その後に電極材料(11s)とを設けることによって形成される。ガード領域(15s)は、より広い開口(51a)からドーパント(61)を導入することによって設けられる。マスクパターン(51, 51s)は、このドーパント導入に対して、その下の本体部をマスクし、また、ショットキー障壁(80)が形成されるべきエリアにドーパント(61)が横方向に広がるのを防止するのに十分な幅(y8)を持っている。次いで、少なくともマスクパターン(51, 51s)が、除去された後、ショットキー電極(33)が、堆積される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ショットキー電極と、トレンチ絶縁された電極に横方向に境を接する第1の導電型の半導体本体部との間にショットキー障壁を持つ半導体デバイスを製造する方法であって、前記ショットキー障壁が、前記トレンチ絶縁された電極に隣接する逆の、第2の導電型のガード領域に横方向に終端する方法において、前記ガード領域、前記トレンチ絶縁された電極、および、前記ショットキー障壁を、互いに関してセルフアラインするために、以下のプロセス工程、 (a) 前記ショットキー障壁が形成されるべきエリアをマスクするために、半導体本体の表面にマスクパターンを設ける工程と、 (b) 狭開口を、前記マスクパターンの、それより広い開口の側壁に側壁延長部を設けることによって定め、そして、前記狭開口において前記本体内にトレンチをエッチングによって形成して、前記トレンチ内に絶縁材料と、その後に電極材料とを設けることによって、前記トレンチ絶縁された電極を形成する工程と、 (c) 前記マスクパターンの前記より広い開口から前記本体に第2の導電型のドーパントを導入することによって前記ガード領域を設ける工程であって、前記マスクパターンが、前記ドーパント導入に対して、その下の前記本体部をマスクするのに十分な厚さと、前記ショットキー障壁が形成されるべきエリアに前記ドーパントが横方向に拡がるのを防止するのに十分な幅とを持っている工程と、 (d) 少なくとも前記ショットキー障壁が形成されるべき前記エリアに前記ショットキー電極を堆積する前に、少なくとも前記マスクパターンを除去する工程と、が用いられる方法。

IPC (4件)：

H01L29/47 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/872

FI (8件)：

H01L29/48 P , H01L29/78 652S , H01L29/78 653C , H01L29/78 657A , H01L29/48 F , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658B

Fターム (22件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH16 , 4M104HH17 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161042 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-187970
特開平2-207538

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