特許
J-GLOBAL ID：200903023773043928
薄膜太陽電池装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218471
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】可とう性絶縁基板上に形成した薄膜をレーザパターニングする際に、薄膜の応力により基板の平坦性が損なわれても均一なレーザ加工が行われるようにする。【構成】表面上に薄膜を形成した透光性の可とう性絶縁基板1を平滑面を有する透光性の矯正板51,52の間にはさんで平坦性を改善し、矯正板および可とう性基板を通じてのレーザ光投射により基板上の薄膜を加工、分割して直列接続される太陽電池のユニットセルを形成する。
請求項（抜粋）：
透光性の可とう性絶縁基板上に成膜した薄膜を分割することにより形成された、それぞれ第一、第二電極層の間にアモルファス半導体層を有するユニットセルを直列接続してなる薄膜太陽電池の製造方法において、薄膜成膜後少なくとも一面が平滑面である二つの透光性矯正板の平滑面間に可とう性絶縁基板をはさんで固定し、矯正板および可とう性絶縁基板を通してレーザ光を照射することにより薄膜を加工し、分割することを特徴とする薄膜太陽電池装置の製造方法。
IPC (2件)：
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